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非易失性存储器发展面临瓶颈,业界论道替代技术

上网日期: 2004年11月12日 ?? 作者: Ron Wilson ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:非易失性存储器? nonvolatile? memory? SRAM?

在Semico Research公司日前主办的一场研讨会上,Axon Technologies、飞思卡尔(Freescale Semiconductor)和Nantero就非易失性存储技术的发展大势展开了讨论。三家公司不约而同地声称,SRAM、嵌入式DRAM和闪存等存储技术发展的动力已经耗尽。

飞思卡尔MRAM技术总监Saied Tehrani在开场词中问道,“为什么我们需要另外一种存储技术?”他表示,没有单独一种成熟技术能够满足嵌入存储器在未来SoC中的要求:高密度、高速度,无限可靠的寿命、非易失性、低功耗及低工艺成本。此外他还指出,按照摩尔定律曲线的规划,所有业已确立的技术将面临严重的缩放问题,从缩减用于DRAM的电容面积到降低闪存编程电压。Tehrani的答案理所当然是磁阻RAM或MRAM。该公司已论证了在采用180纳米技术构建的器件上实现了对称25ns的读写时间。

Nantero公司的策略营销副总裁Avo Kanadjian则描述了正在研究的存储阵列NRAM,其存储元素是一小簇悬浮在真空腔内上下电极间的纳米管。Axon目前则正在研制PMC存储单元。这种方法是自组装的纳米级电解液在经过选择的存储阵列上生长。在两边的玻璃矩阵的金属电极上施加电场,使金属离子通过矩阵被电沉积,在数纳秒内形成一个导电桥。







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