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Matrix将3D PROM制造工艺从0.25微米升级到0.15微米

上网日期: 2004年11月12日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Matrix Semiconductor Inc? Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd? 台积电? Amkor?

三维半导体存储器开发商Matrix Semiconductor公司日前表示,已经将其多层防熔ROM的制造工艺从0.25微米升级到0.15微米。

然而,Matrix公司并没有披露升级到0.15微米制造工艺是否仅会带来芯片裸片尺寸的减小,也没有透露是否曾经改变设计中的存储器层数,或者是否曾经对设计进行了变更。该公司只是表示3DM芯片由台积电代工,并且在Amkor进行封装和测试,目前可供使用的最大容量仍然为512Mb。

Matrix公司总裁兼首席执行官Dennis Segers展望说,3DM将应用于便携式音频视频播放器、便携式游戏机、先进的玩具、移动电话、掌上电脑市场,提供方便、经济有效、与标准兼容的传送和共享内容方式。







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