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Rockwell的军用InP DHBT研究获进展,未来商用可期

上网日期: 2004年08月20日 ?? 作者: Peter Clarke ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:磷化铟? Tfast? Indium phosphide? double hetero junction bipolar?

Rockwell Scientific Company LLC公司的一个团队最近演示了一种静态频率分割电路,采用亚微米磷化铟双异型结双极型制造工艺技术,能在152GHz频率工作。

这项成就是美国Darpa(国防高级研究项目署)资助的项目Tfast(频率灵活性数字综合发射器技术)。该项目的参与单位包含Rockwell、Global Communication Semiconductors、加州大学、IQE plc、Mayo Clinic及其它合作公司。

Rockwell表示,Tfast项目设计初衷是推进InP DHBT技术开发,以服务于美国国防部的混合信号电路应用,如甚高速模拟到数字、数字到模拟转换器及直接数字综合器电路。InP DHBT晶体管应能提供高电子击穿电压、低相位噪音及宽带宽,面向飞行中可重复编程卫星通信链接、战斗中可编程电子战干扰发射台及毫米波发射器。

Rockwell Scientific公司Tfast项目经理Bobby Brar表示:“Tfast的近期应用集中在军用系统的高性能要求上,但未来商业领域的应用潜力不可估量,尤其是在无线和电信应用领域。”Rockwell Scientific公司的该技术团队已经被选定继续从事Tfast计划第二阶段的开发。







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