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研发人员着眼于纳米级新型非易失性存储器

上网日期: 2004年08月11日 ?? 作者: Chappell Brown ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:nonvolatile memories? nanoscale? 纳米级? 非易失性存储器?

纳米技术能够促进存储芯片技术的研制,取代从磁性光盘到DRAM的所有存储器,至少从理论上是如此。基于这些技术的研发项目如碳纳米管、分子级电子和原子力显微镜探测器阵列,看起来将融合为通用存储技术,尽管充满风险,但已吸引了实质性的投资。

吸引投资者的是可能研制成功一种存储芯片,具备显著高于当今技术的存储密度。“我们已经有了硬盘、磁带、光盘、DRAM和闪存,但在每一个领域都有不同的主要竞争对手。”

NanoMarkets LC公司分析师Paul Holister表示。“有一种有可能赢得全胜的理想产品:高密度、高容量、非易失性、低功率读写存储。这些要素中的任何一个都能决定任一特定市场的主导存储器。”但Holister表示,没有一家公司追求这种通用存储技术。

IBM和日立合作展开的项目名为Millipede,距离产品化阶段仍然遥远,论证了基于纳米技术存储器的可能性。







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