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瑞萨科技宣的superSRAM没有软错误,功耗更低

上网日期: 2004年07月07日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:瑞萨科技? Renesas Technology? superSRAM? 软错误?

通过开发新型存储单元,并将SRAM单元与DRAM电容器技术相结合,瑞萨科技公司(Renesas Technology)开发出了实际上没有软错误的SRAM,称作“superSRAM”。这种新型SRAM将投入商业性生产,并用于移动应用中的16M位小功率SRAM。

这种技术和产品的主要特性体现在:

  1. 很高的软错误容错性。与瑞萨科技先前的0.13 μm工艺16M位小功率SRAM(没有ECC电路)相比,软错误率大约减小了4个数位,这是通过在每个存储单元的存储节点上使用DRAM单元中使用的那种圆柱电容器来实现的。α射线辐射实验证实,这种产品首次实现了SRAM中没有由软错误引起的位错误。软错误容错率问题这一常规SRAM存在的基本问题,已经得到解决,可以实现更高可靠性、更高密度的SRAM。

  2. 在业界0.15μm工艺SRAM产品中,它具有最小的存储器元件尺寸。通过将使用TFT的RAM单元与DRAM电容器组合起来,开发出的新型单元,在业界0.15μm工艺SRAM产品中,具有最小的存储器元件尺寸:0.98 μm2。其单元尺寸,比瑞萨科技目前的基于CMOS 0.15μm工艺的SRAM小一半多。它可以大大减小芯片尺寸、使移动设备更小巧。

    另外,数据保持电流可以达到小于1μA。与使用DRAM存储单元的赝SRAM不同,新型SRAM单元不需要刷新操作。与赝SRAM相比,数据保持电流大约提高了2位数,用于更低功耗的移动应用。

  3. 可以使用现有的0.15 μm工艺制造。不需要使用特殊的工艺,就可以实现更高的性能和更小的元件面积。可以使用现有的工艺技术制造,从而可以尽快地将产品投放市场。







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