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联电采用莱智科技CharFlo-Memory!工具组

上网日期: 2004年01月08日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:莱智科技? LegendDesign? 台联电? UMC?

莱智科技(LegendDesign)股份有限公司日前宣布,台联电(UMC)已采用莱智科技CharFlo-Memory!套装工具,应用于晶圆工艺中客制IP产出。基于自布局萃取电路所得的电阻、电容效应数据,莱智科技的CharFlo-Memory!工具组据称可在任何PVT(工艺,电压,温度)状况下,产生精确的芯片内存对象模型。

UMC的首席SOC工程师Patrick Lin表示: “随着系统芯片设计日益进化升级,内存的重要性也随之提高。为协助设计者缩短产品量产上市的时间,UMC提供便捷存取途径予内存编译器供货商,用以产生可立即整合于客制化设计IP模块。现今,一般性CMOS技术依其不同特性已有多重变因,如高速度,低功率,高密度等。最重要的是,每一个工艺变因皆必须做特性分析。也由于各项特性皆属相异,为特定制程的再次特征化分析实为必要,如此方可确保达成所要速度与良率。”

Patrick Lin指出,针对各种PVT(工艺,电压,温度)状况分析,莱智科技CharFlo-Memory!工具组,可执行高精确率与高效率的自动化特性确认。UMC现已拥有验证工艺改变对内存IP的功能与稳定度所产生可能影响的便利工具。

莱智科技总裁兼执行长魏游邦先生则强调,嵌入式内存的品质与稳定度,对于深亚微米硅制造的成功与纳米系统芯片设计,都有至为攸关的影响。







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