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日立和瑞萨声称开发出全球最小的闪存单元

上网日期: 2003年12月17日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:IEDM? Hitachi? Renesas? flash memory cell?

日立(Hitachi)公司和瑞萨科技(Renesas Technology)公司开发出据其称是全球最小的闪存单元,使器件的编程速度达到80Mbps。两家公司的工程师在国际电子器件会议(IEDM)上展示了这项研究成果。

该存储单元采用了具备多级单元技术的所谓Assist Gate-AND闪存单元的源-漏结构,使存储单元面积在用90纳米制造工艺技术实现时减少30%。

该单元结构使用了日立和瑞萨的场绝缘技术,融合了能防止内部单元干扰的辅助门,从而使更小单元面积和高速编程成为可能。

瑞萨科技计划2004年第三季度开始商业化制造基于这种技术的4Gb AG-AND闪存。

日立开发的第一代Assist Gate AND闪存通过采用避免内部单元干扰的辅助门(AGs)和多级单元技术,从而提供80Mbps的高速编程。

瑞萨科技目前正采用130纳米制造工艺技术生产1Gb AG-AND闪存。







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