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NAND FLASH的最新低价技术-TLC制程FALSH

发布时间:2009-11-9 上午11:04

作者: Create ELE

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TLC 和MLC,SLC? FLASH的区别:
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约一万次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命,工艺及制程还在持续改进中。

但是到目前为止,还没有收到三星关于TLC制程的FLASH任何计划及LOADMAP,如有会第一时间告之各位。

另我司为三星授权代理,可以为客户提供完善的技术支持和售前/售后服务,
有需要咨询三星FLASH/DRAM产品的信息可来电咨询:

Elliott/黄远征? 138 2439 3886
0755-8290 0034--601
Mail:elliott@atlantic.com.hk

景盛电子有限公司深圳办事处? www.atlantic.com.hk
???标签: flash nand
编辑部 编辑于 2010-11-26 下午4:40
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第1楼

回复主题:NAND FLASH的最新低价技术-TLC制程FALSH

发布时间:2009-11-19 下午5:52

作者: Create ELE

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据最新消息:2009年底三星电子(Samsung Electronics)宣布量产32奈米TLC芯片,虽然市场传出良率还不高,但既然龙头老大敢喊,也代表三星会扛起冲锋陷阵、打开TLC市场的任务,配合控制芯片的技术已大幅提升,大环境成熟下,或许有放手一搏的机会。
??? 之前因为只有东芝量产,因此支持的控制芯片业者只有群联、鑫创等,随着三星量产,擎泰、慧荣等将加入战局。
??? TLC世代来临,首当其冲的会是低价接产品市场,尤其是三星32Gb的TLC芯片量产后,生产4GB容量的小型记忆卡microSD只要用1颗32Gb的TLC芯片即可,但其它竞争对手还在用2颗16Gb芯片去堆栈,良率自然不如三星,有助于三星在小型记忆卡上大抢市占率,而2009年在microSD产品上一直拿不足货的下游厂,2010年可趁势扳回一城。
但三星也不至于会将所有的32奈米TLC芯片都去生产microSD,因为microSD虽然拥有手机的应用撑腰,但价格起落幅度相当剧烈,因此在应用上分散风险也是必要的。
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三星Memory==HK景盛 编辑于 2009-12-14 下午5:57
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第2楼 回复主题:NAND FLASH的最新低价技术-TLC制程FALSH 发布时间:2009-12-23 上午11:53

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ding yi ding a !
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第3楼 回复主题:NAND FLASH的最新低价技术-TLC制程FALSH 发布时间:2010-1-8 下午2:55

作者: 壹万

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INTEL好像也有类似的产品,对移动平台和嵌入式领域一样重要。期待中。。。
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第4楼 回复主题:NAND FLASH的最新低价技术-TLC制程FALSH 发布时间:2010-4-16 上午10:21

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目前三星TLC结构NAND FLASH 已量产,但目前主要供应存储卡类大厂,后续产能扩大后会有货放出来。
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