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功率MOSFET教程(第一部分)
上网时间:2008年06月25日

众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关...[ 请看全文 ]


作者 问题:

功率MOSFET教程(第一部分)

发布时间:2008-6-25 上午8:53

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众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性,并为器件选择提供指导。最后,解释了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。
???标签: 功率MOSFET 开关
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作者 问题: 回复主题:功率MOSFET教程(第一部分) 发布时间:2008-6-25 上午8:53

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Good!学习了,谢谢!
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第1楼

回复主题:功率MOSFET教程(第一部分)

发布时间:2008-6-28 上午0:37

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第二部分呢?
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第2楼 回复主题:功率MOSFET教程(第一部分) 发布时间:2008-7-1 上午11:34

作者: YUHAOWILL

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强烈要求第二部分,谢谢
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第4楼 回复主题:功率MOSFET教程(第一部分) 发布时间:2008-7-17 下午12:50

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第二部,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,喜欢,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
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作者: 李小祥

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作者: chenqc

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作者: snnapple

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