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挑战半导体技术极限,ST功率MOSFET晶体管高效登场
上网时间:2008年01月31日

意法半导体日前推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。通态电阻极低,动态特性和雪崩特性非常优异,新...[ 请看全文 ]


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挑战半导体技术极限,ST功率MOSFET晶体管高效登场

发布时间:2008-1-31 上午10:10

作者: 好邻居

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意法半导体日前推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。通态电阻极低,动态特性和雪崩特性非常优异,新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。
???标签: 晶体管 MOSFET
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电子工程专辑Qorvo推出用于无线基础设施的新款GaN功率放大器
作者 问题: 回复主题:挑战半导体技术极限,ST功率MOSFET晶体管高效登场 发布时间:2008-1-31 上午10:10

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讲的很对.
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