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请教CMOS电平与TTL电平标准

发布时间:2005-5-24 上午11:06

作者: 武风

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请问分别多少电压代表高或低?多谢!
???标签: 电平 cmos
编辑部 编辑于 2010-10-27 下午3:02
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电子工程专辑联想Q3财报透露的秘密:同比下跌实为涨
第1楼

众多逻辑系列特点的比较

发布时间:2005-5-24 下午10:28

作者: Wei

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TI网站上有各逻辑系列特点比较的应用介绍与比较文章。可不止这两个系列至少6、7种以上。包括最新的逻辑系列。另外最好通读TI标准逻辑电路的手册(Logic Manual,可到www.ti.com当一个XXX.pdf文件),可先泛读一下。
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第2楼 cmos.ttl电平标准 发布时间:2005-6-15 下午3:48

作者: taidenghui

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一般来讲cmos输出高电平=0.9vdd,输出低电平=0.1vdd。ttl输出高电平=2.4v,输出低电平
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第3楼 cmos电平 发布时间:2005-8-1 下午3:24

作者: 漂泊浪子

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PC机的串行接口是符合EIA RS-232C规范的外部总线标准接口。RS-232C采用的是负逻辑,即逻辑“1”:-5V至-15V;逻辑“0”:+5V至+15V。而CMOS电平为:逻辑“1”:4.99V,逻辑“0”:0.01V;TTL电平的逻辑“1”和“0”则分别为2.4V和0.4V。
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第4楼 告诉你方法 发布时间:2005-8-1 下午10:47

作者: 电子白痴

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ttl-晶体管(一般指硅型)逻辑电平,也就是硅型pn结的逻辑电平。一般地,pn结加正向电压大于0.7伏特左右就导通,对pn结来说,此时逻辑电平为“1”。逻辑电平“0”呢?自然是小余0.7V了。为了提高逻辑电路的可靠性,规定的值应该稍高(1时)或稍低(0时)----说实话他们规定的数值我记不住的,本人的机械记忆能力很差。
cmos-互补金属氧化物半导体。由于制造工艺不同,和电源电压不同(这是cmos的特性)其导通或截至的电平差异较大,一般地,栅极和源极地电位差在3V以上的时候,漏极和源极才开始导通。如果把它用在逻辑电路中,你应该可以告诉我“1”和“0”应该是多少呢?
实际上,现在的mos家族很庞大,cmos只是之一。好多低压mos管控制电压在不到1V是就开始导通,普通mos,开始导通到完全导通的gate电压(栅极电压)很宽,有的从0.5-7V!!可以想象,通常所说的mos电平已经失去意义!当然,这样的mos用在放大电路中很好。不要害怕,还要专用的逻辑mos!!它的导通电压范围很小,一般1.5V左右,用在逻辑电路中很好!!哈哈哈,就是专门为逻辑电路生产的。
----这些知道了,设计的电路才有底气!
乱说了一通,希望对你有一点帮助。
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第5楼 告诉你方法 发布时间:2005-8-1 下午10:47

作者: 电子白痴

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ttl-晶体管(一般指硅型)逻辑电平,也就是硅型pn结的逻辑电平。一般地,pn结加正向电压大于0.7伏特左右就导通,对pn结来说,此时逻辑电平为“1”。逻辑电平“0”呢?自然是小余0.7V了。为了提高逻辑电路的可靠性,规定的值应该稍高(1时)或稍低(0时)----说实话他们规定的数值我记不住的,本人的机械记忆能力很差。
cmos-互补金属氧化物半导体。由于制造工艺不同,和电源电压不同(这是cmos的特性)其导通或截至的电平差异较大,一般地,栅极和源极地电位差在3V以上的时候,漏极和源极才开始导通。如果把它用在逻辑电路中,你应该可以告诉我“1”和“0”应该是多少呢?
实际上,现在的mos家族很庞大,cmos只是之一。好多低压mos管控制电压在不到1V是就开始导通,普通mos,开始导通到完全导通的gate电压(栅极电压)很宽,有的从0.5-7V!!可以想象,通常所说的mos电平已经失去意义!当然,这样的mos用在放大电路中很好。不要害怕,还要专用的逻辑mos!!它的导通电压范围很小,一般1.5V左右,用在逻辑电路中很好!!哈哈哈,就是专门为逻辑电路生产的。
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第6楼 告诉你方法 发布时间:2005-8-1 下午10:47

作者: 电子白痴

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第7楼 TTL和CMOS的逻辑电平分类 发布时间:2006-2-22 下午10:12

作者: ppl

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TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类:5V系列(5V TTL和5V CMOS)、3.3V系列,2.5V系列和1.8V系列

详见http://blog.21ic.com/more.asp?name=brightchl&id=6961
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第8楼 回复主题:请教CMOS电平与TTL电平标准 发布时间:2008-3-25 上午9:16

作者: 祝融

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第9楼 回复主题:请教CMOS电平与TTL电平标准 发布时间:2011-11-1 上午11:51

作者: firetly

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