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精通开关电源设计零积分下载

发布时间:2013-8-17 下午2:32

作者: tonewinner

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  本书基于作者多年从事开关电源设计的经验,从分析开关变换器最基本器件——电感的原理入手,由浅入深系统地论述了宽输入电压DC-DC变换器(含离线式正、反激电源)及其磁件设计、MOSFET导通和开关损耗、PCB布线技术、三种主要拓扑电压/电流模式下控制环稳定性以及开关电源电磁干扰(EMI)控制及测量的理论和实践等。书中还解答了变换器拓扑的常见问题,讨论了开关电源及电子镇流器设计的专家意见、工业经验和难点对策等。
  本书不仅可作为各层次开关电源工程人员的教材,也可供开关电源设计人员和高校相关专业师生参考。
目录
第1章 开关电源的基本原理 1
1.1 简介 1
1.2 概述和基本术语 3
1.2.1 效率 3
1.2.2 线性调整器 4
1.2.3 通过使用开关器件提高效率 6
1.2.4 半导体开关器件基本类型 7
1.2.5 半导体开关器件并非理想器件 8
1.2.6 通过电抗元件获得高效率 8
1.2.7 早期RC型开关调整器 9
1.2.8 基于LC的开关调整器 10
1.2.9 寄生参数的影响 10
1.2.10 高频率开关时产生的问题 11
1.2.11 可靠性、使用寿命和热管理 12
1.2.12 降低应力 14
1.2.13 技术进步 14
1.3 认识电感 15
1.3.1 电容/电感和电压/电流 15
1.3.2 电感电容充电/放电电路 15
1.3.3 能量守恒定律 16
1.3.4 充电阶段及感应电流理论 17
1.3.5 串联电阻对时间常数的影响 18
1.3.6 R=0时电感充电电路及电感方程 19
1.3.7 对偶原理 20
1.3.8 电容方程 20
1.3.9 电感放电阶段 21
1.3.10 反馈能量和续流电流 22
1.3.11 电流必须连续而其变化曲线斜率不必连续 22
1.3.12 电压反向现象 22
1.3.13 功率变换器的稳定状态及不同工作模式 24
1.3.14 伏秒法则、电感复位和变换器占空比 27
1.3.15 半导体开关的使用及保护 28
1.4 电源拓扑的衍生 29
1.4.1 通过二极管控制感应电压尖峰 29
1.4.2 达到稳定状态并输出有用能量 30
1.4.3 buck?瞓oost变换器 31
1.4.4 电路地参考点 32
1.4.5 buck?瞓oost变换器的结构 33
1.4.6 开关节点 33
1.4.7 buck?瞓oost电路分析 34
1.4.8 buck?瞓oost电路的性质 35
1.4.9 为什么只有三种基本拓扑 36
1.4.10 boost拓扑 37
1.4.11 buck拓扑 40
1.4.12 高级变换器设计 41
?
第2章 DC?睤C变换器设计与磁学基础 42
2.1 直流传递函数 43
2.2 电感电流波形的直流分量和交流纹波 44
2.3 交流电流、直流电流和峰值电流的确定 46
2.4 认识交流电流、直流电流和峰值电流 47
2.5 最“恶劣”输入电压的确定 49
2.6 电流纹波率r 51
2.7 r与电感量的关系 52
2.8 r的最佳值 52
2.9 电感量与电感体积的关系 54
2.10 频率对电感量和电感体积的影响 54
2.11 负载电流对电感量和电感体积的影响 55
2.12 供应商标定成品电感额定电流的方式及成品电感选择 55
2.13 在给定应用中我们需要考虑哪些电感电流额定值 56
2.14 电流限制的范围和容限 58
2.15 实际例子(1) 60
2.15.1 设置r时需考虑电流限制 61
2.15.2 确定r需考虑的连续导电模式 62
2.15.3 当用低ESR电容时应将r设置得大于0.4 64
2.15.4 设置r时应避免装置不平衡 64
2.15.5 设置r应避免次谐波震荡 66
2.15.6 用“L×I”和“负载缩放比例”法则快速选择电感 68
2.16 实际例子(2、3和4) 69
2.16.1 强迫连续模式(FCCM)中的电流纹波率 70
2.16.2 基本磁学定义 71
2.17 实际例子(5)——不增加线圈匝数 73
2.17.1 “磁场纹波率” 74
2.17.2 与伏秒数相关的受控电压方程(MKS单位制) 74
2.17.3 CGS单位制 75
2.17.4 与伏秒数相关的受控电压方程(CGS单位制) 75
2.17.5 磁心损耗 75
2.18 实际例子(6)——特定场合中产品电感的特性 77
2.18.1 估计必要条件 77
2.18.2 电流纹波率 78
2.18.3 峰值电流 79
2.18.4 磁通密度 79
2.18.5 线圈损耗 80
2.18.6 磁心损耗 81
2.18.7 温升 81
2.19 计算其他最恶劣应力 82
2.19.1 最恶劣磁心损耗 82
2.19.2 二极管最恶劣损耗 83
2.19.3 开关管最恶劣损耗 83
2.19.4 输出电容最恶劣损耗 85
2.19.5 输入电容最恶劣损耗 85
?
第3章 离线式变换器设计与磁学技术 88
3.1 反激变换器磁学技术 89
3.1.1 变压器绕组极性 89
3.1.2 反激变换器中变压器功能及其占空比 90
3.1.3 等效的buck-boost模型 92
3.1.4 反激变换器电流纹波率 94
3.1.5 漏感 94
3.1.6 齐纳管钳位损耗 95
3.1.7 二次漏感同样影响一次侧 95
3.1.8 有效一次漏感电感测量 96
3.1.9 实际例子(7)——反激变压器设计 96
3.1.10 导线规格与铜皮厚度选择 101
3.2 正激变换器磁学技术 104
3.2.1 占空比 105
3.2.2 最恶劣电压输入 107
3.2.3 窗口面积利用 108
3.2.4 磁心型号与其所通功率 109
3.2.5 实际例子(8)——正激变换器变压器设计 110
?
第4章 拓扑FAQ 123
问题与解答 123
?
第5章 导通损耗和开关损耗 140
5.1 开关接电阻性负载 140
5.2 开关接感性负载 143
5.3 开关损耗和导通损耗 146
5.4 建立MOSFET简化模型以研究感性负载时的开关损耗 147
5.5 变换系统中寄生电容的表示 148
5.6 门极开启电压 149
5.7 导通转换 149
5.8 关断转换 152
5.9 栅荷系数 152
5.10 实际例子 156
5.10.1 导通时 156
5.10.2 关断时 157
5.11 把开关损耗分析应用于开关拓扑 158
5.12 对开关损耗而言的最恶劣输入电压 159
5.13 开关损耗怎样随寄生电容变化 160
5.14 使驱动器相对于MOSFET性能最佳 161
?
第6章 印制电路板的布线 163
6.1 引言 163
6.2 布线分析 163
6.3 布线要点 164
6.4 散热问题 169
?
第7章 反馈环路分析及稳定性 170
7.1 传递函数、时间常数与强制函数 170
7.2 理解e及绘制对数坐标曲线 171
7.3 时域分析与频域分析 173
7.4 复数表示 173
7.5 非周期激励 174
7.6 s平面 175
7.7 拉普拉斯变换 176
7.8 扰动和反馈作用 178
7.9 RC滤波器的传递函数 179
7.10 积分运算放大器(零极点滤波器) 181
7.11 对数平面中的数学 183
7.12 LC滤波器的传递函数 183
7.13 无源滤波器传递函数小结 186
7.14 极点和零点 187
7.15 极点和零点的相互作用 188
7.16 闭环增益和开环增益 189
7.17 分压网络 191
7.18 PWM传递函数(增益) 192
7.19 电压前馈 193
7.20 主电路传递函数 194
7.21 所有拓扑的调节器传递函数 194
7.21.1 buck变换器 194
7.21.2 boost变换器 195
7.21.3 buck-boost变换器 197
7.22 反馈网络传递函数 198
7.23 闭环 200
7.24 环路稳定性判据 201
7.25 带积分器的开环波特图 201
7.26 抵消LC滤波器双重极点 203
7.27 ESR零点 203
7.28 3型运算放大器补偿网络的设计 204
7.29 反馈环路优化 207
7.30 输入纹波抑制 209
7.31 负载暂态 210
7.32 1型和2型补偿网络 211
7.33 跨导运算放大器补偿网络 211
7.34 简化跨导运算放大器补偿网络 215
7.35 电流模式控制补偿 217
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第8章 EMI基础——从麦克斯韦方程到CISPR标准 224
8.1 标准 224
8.2 麦克斯韦到EMI 226 
8.3 敏感度/抗扰性 230
8.4 一些与成本相关的经验 231
8.5 组件的EMI问题 231
8.6 CISPR 22对电信端口的规定——修订意见 232
?
第9章 传导EMI限值及测量 234
9.1 差模和共模噪声 234
9.2 如何测量传导EMI 236
9.3 传导发射限制 240
9.4 准峰值、平均值和峰值测试 242
?
第10章 实际的电源输入EMI滤波器 244
10.1 EMI滤波器设计的安全问题 244
10.2 实际的电源输入滤波器 246
10.3 Y电容总容量的安规限制 251
10.4 等效DM和CM电路 252
10.5 一些重要的EMI工程经验 254
?
第11章 开关电源的DM与CM噪声 255
11.1 主要DM噪声源 255
11.2 主要CM噪声源 256
11.3 地电抗器 263
?
第12章 电路板EMI解决方案 264
12.1 变压器的EMI问题 264
12.2 二极管的EMI问题 269
12.3 磁珠的工程应用——抑制肖特基二极管的dV/dt 270
12.4 基本布线方案 271
12.5 最后的EMI抑制措施 272
12.6 能否通过辐射测试 274
?
第13章 EMI滤波器的输入电容和稳定性 275
13.1 DM扼流环是否饱和 275
13.2 DC-DC变换器模块的实用电网滤波器 278
?
第14章 电磁难题的数学基础知识 284
14.1 数学基础知识之傅里叶级数 284
14.2 矩形波 285
14.3 矩形波分析 287
14.4 梯形波 288
14.5 梯形波的EMI问题 290
14.6 高性价比滤波器的设计 291
14.7 实际DM滤波器设计 293
14.8 实际CM滤波器设计 295
14.8.1 第一种方法(快速) 295
14.8.2 第二种方法(详细法) 296
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第1楼

回复主题:精通开关电源设计零积分下载

发布时间:2013-8-17 下午2:38

作者: tonewinner

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tonewinner 编辑于 2013-8-23 下午1:08
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第2楼 《精通开关电源设计》笔记 发布时间:2013-8-19 上午9:04

作者: tonewinner

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《精通开关电源设计》笔记

三种基础拓扑(buck? boost? buck-boost)的电路基础:

1,? 电感的电压公式,推出ΔI=V×ΔT/L

2,? sw闭合时,电感通电电压VON,闭合时间tON ?sw关断时,电感电压VOFF,关断时间tOFF

3,? 功率变换器稳定工作的条件:ΔION=ΔIOFF即,电感在导通和关断时,其电流变化相等。那么由1,2的公式可知,VON =L×ΔION/ΔtON ,VOFF =L×ΔIOFF/ΔtOFF ,则稳定条件为伏秒定律:VON×tON=VOFF×tOFF

4,? 周期T,频率f,T=1/f,占空比D=tON/T=tON/(tON+tOFF)→tON=D/f =TD
→tOFF=(1-D)/f
电流纹波率r?? P51 52
r=ΔI/ IL=2IAC/IDC 对应最大负载电流值和最恶劣输入电压值
ΔI=Et/LμH??? Et=V×ΔT(时间为微秒)为伏微秒数,LμH为微亨电感,单位便于计算
r=Et/( IL ×LμH)→IL ×LμH=Et/r→LμH=Et/(r* IL)都是由电感的电压公式推导出来
r选值一般0.4比较合适,具体见 P53
电流纹波率r=ΔI/ IL=2IAC/IDC 在临界导通模式下,IAC=IDC,此时r=2 见P51
r=ΔI/ ILVON×D/Lf ILVOFF×(1-D)/Lf IL→L=VON×D/rf IL
电感量公式:L=VOFF×(1-D)/rf ILVON×D/rf IL
设置r应注意几个方面:
A,IPK=(1+r/2)×IL≤开关管的最小电流,此时r的值小于0.4,造成电感体积很大。
?
B,保证负载电流下降时,工作在连续导通方式P24-26,
最大负载电流时r’=ΔI/ ILMAX,当r=2时进入临界导通模式,此时r=ΔI/ Ix=2→
负载电流Ix=(r’ /2)ILMAX时,进入临界导通模式,例如:最大负载电流3A,r’=0.4,则负载电流为(0.4/2)×3=0.6A时,进入临界导通模式
避免进入临界导通模式的方法有1,减小负载电流2,减小电感(会减小ΔI,则减小r)3,增加输入电压 P63
?
电感的能量处理能力1/2×L×I2
电感的能量处理能力用峰值电流计算1/2×L×I2PK,避免磁饱和。

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开关电源设计手册_SMPS_design.... 下载次数: ?130 资源分:?2
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tonewinner 编辑于 2013-8-19 上午9:14
引用 回复 鲜花 ( 0) 臭鸡蛋 ( 0)
电子工程专辑新兴的单芯片3D技术可望让芯片“重见光明”?
第3楼 回复主题:《精通开关电源设计》笔记 发布时间:2013-8-19 上午9:07

作者: tonewinner

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确定几个值:r要考虑最小负载时的r 负载电流IL ?IPK 输入电压范围VIN 输出电压VO

最终确认L的值

基本磁学原理P71――以后花时间慢慢看《电磁场与电磁波》用于EMC和变压器

H:也称磁场强度,场强,磁化力,叠加场等。单位A/m

B:磁通密度或磁感应。单位是特斯拉(T)或韦伯每平方米Wb/m2

恒定电流I的导线,每一线元dl在点p所产生的磁通密度为dBk×I×dl×aR/R2

dB为磁通密度,dl为电流方向的导线线元,aR为由dl指向点p的单位矢量,距离矢量为RR为从电流元dl到点p的距离,k为比例常数。

SI单位制中k=μ0/4,μ0=4{C}{C}{C}{C}×10-7H/m为真空的磁导率。

则代入k后,dB=μ0×I×dl×R/4R3 对其积分可得B

磁通量:通过一个表面上B的总量 Φ={C}{C}{C}{C},如果B是常数,则Φ=BAA是表面积

HB/μ→B=μH,μ是材料的磁导率。空气磁导率μ0=4{C}{C}{C}{C}×10-7H/m

法拉第定律(楞次定律):电感电压V与线圈匝数N成正比与磁通量变化率

VN×dΦ/dtNA×dB/dt

线圈的电感量:通过线圈的磁通量相对于通过它的电流的比值L=H*NΦ/I

磁通量Φ与匝数N成正比,所以电感量L与匝数N的平方成正比。这个比例常数叫电感常数,用AL表示,它的单位是nH/匝数2(有时也用nH/1000匝数2L=AL*N2*10-9H

所以增加线圈匝数会急剧增加电感量

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tonewinner 编辑于 2013-8-19 上午9:09
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第4楼 回复主题:《精通开关电源设计》笔记 发布时间:2013-8-19 上午9:10

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若H是一闭合回路,可得该闭合回路包围的电流总量Hdl=IA,安培环路定律
结合楞次定律和电感等式可得到
V=N×dΦ/dt=NA×dB/dt=L×dI/dt
可得功率变换器2个关键方程
ΔB=LΔI/NA非独立电压方程 →B=LI/NA
ΔB=VΔt/NA独立电压方程?? →BAC=ΔB/2=VON×D/2NAf 见P72-73
N表示线圈匝数,A表示磁心实际几何面积(通常指中心柱或磁心资料给出的有效面积Ae)
BPK=LIPK/NA不能超过磁心的饱和磁通密度
由公式知道,大的电感量,需要大的体积,否则只增加匝数不增加体积会让磁心饱和
磁场纹波率对应电流纹波率r
r=2IAC/IDC=2BAC/BDC
BPK=(1+r/2)BDC→BDC=2BPK /(r+2)
BPK=(1+2/r)BAC→BAC=r BPK /(r+2)→ΔB=2 BAC=2r BPK /(r+2)
磁心损耗,决定于磁通密度摆幅ΔB,开关频率和温度
磁心损耗=单位体积损耗×体积,具体见P75-76
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第5楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-8-23 上午10:26

作者: tonewinner

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第6楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-9-6 上午8:14

作者: panminghui

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谢谢!!!!!!!!!!!!!!!
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第7楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-9-6 上午8:47

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以下是引用panminghui在2013-9-6 上午8:14的发言

主题:谢谢!!!!!!!!!!!!!!!

不用谢!
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第8楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-9-7 上午11:39

作者: seer319

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第9楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-9-13 上午8:53

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以下是引用seer319在2013-9-7 上午11:39的发言

主题:感谢楼主

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第10楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-9-13 下午2:42

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第11楼 回复主题:《精通开关电源设计》笔记 发布时间:2013-9-13 下午2:44

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第12楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-9-13 下午3:57

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第13楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-9-17 上午11:09

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第14楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-9-18 下午1:06

作者: tonewinner

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以下是引用laoguo927@126.com在2013-9-17 上午11:09的发言

主题:楼主辛苦了!

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第15楼 回复主题:精通开关电源设计零积分下载 发布时间:2013-9-22 上午9:56

作者: xyclaoyu

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