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GaN时代开启,功率MOSFET岌岌可危?
上网时间:2010年11月09日

EPC推出了增强型GaN功率晶体管,其硅基GaN技术建立于150mm晶圆的标准硅CMOS工艺。该公司CEO指出,其产品最...[ 请看全文 ]


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GaN时代开启,功率MOSFET岌岌可危?

发布时间:2010-11-9 上午9:03

作者: ljzh

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EPC推出了增强型GaN功率晶体管,其硅基GaN技术建立于150mm晶圆的标准硅CMOS工艺。该公司CEO指出,其产品最潜在的市场机遇是替换硅功率MOSFET。
???标签: 功率MOSFET GaN
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作者 问题: 回复主题:GaN时代开启,功率MOSFET岌岌可危? 发布时间:2010-11-9 上午9:03

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hao
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电子工程专辑给半导体新创公司的几个建议
第1楼

回复主题:GaN时代开启,功率MOSFET岌岌可危?

发布时间:2010-11-9 下午2:05

作者: zeng-gj

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作者: Wei

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